Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IMBG65R107M1HXTMA1

Name: Infineon IMBG65R107M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG65R107M1HXTM
Price: 21.54 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IMBG65R107M1HXTM

Nr prod.:

IMBG65R107M1HXTMA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Karta charakterystyki:

IMBG65R107M1HXTMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IMBG65R107M1HXTMA1

Na stanie magazynowym: 753

Stany magazynowe:: 753 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 21 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	21,54 zł	21,54 zł
	12,43 zł	124,30 zł
	11,14 zł	1 114,00 zł
	11,09 zł	5 545,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)
	9,37 zł	9 370,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	24 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	141 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 5 V, + 23 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	5.7 V
Qg – ładunek bramki:	35 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	110 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	CoolSiC
Marka:	Infineon Technologies
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Produkt:	MOSFETs
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Seria:	CoolSiC 650V
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Nazwy umowne nr części:	IMBG65R107M1H SP005539184

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IMBG65R107M1HXTMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ MOSFETs 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFETs 650V combines the physical strength of silicon carbide with features amplifying device performance, reliability, and ease of use. With its state-of-the-art trench semiconductor process, the CoolSiC™ MOSFET delivers the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. CoolSiC is the perfect fit for use in high-temperature and harsh environment applications.

650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC M1 MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high temperatures and harsh operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.