Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IKW15N120H3

Name: Infineon IKW15N120H3
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW15N120H3
Price: 18.62 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IKW15N120H3

Nr prod.:

IKW15N120H3

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

IGBTs IGBT PRODUCTS

Karta charakterystyki:

IKW15N120H3 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IKW15N120H3

Na stanie magazynowym: 35

Stany magazynowe:: 35

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 240

Oczekiwane: 11.03.2026
Średni czas produkcji:: 26

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	18,62 zł	18,62 zł
	12,34 zł	123,40 zł
	9,80 zł	980,00 zł
	7,70 zł	3 696,00 zł

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:

IKW15N120H3FKSA1

Opakowanie:

Tube

Dostępność:

Na stanie magazynowym

Cena:

18,40 zł

Min.:

Podobny produkt

Produc.:

Infineon Technologies

Nr prod.:

IKW15N120H3FKSA1

Opis:

IGBTs IGBT PRODUCTS

Porównaj z aktualną częścią

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Tranzystory IGBT
RoHS:
Technologia:	Si
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Styl mocowania:	Through Hole
Konfiguracja:	Single
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	1.2 kV
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	2.05 V
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	- 20 V, 20 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	30 A
Pd – strata mocy:	217 W
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Seria:	Trenchstop IGBT4
Opakowanie:	Tube
Marka:	Infineon Technologies
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	AT
Prąd upływowy bramka–emiter:	600 nA
Rodzaj produktu:	IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta:	240
Podkategoria:	IGBTs
Nazwa handlowa:	TRENCHSTOP
Nazwy umowne nr części:	SP000674422 IKW15N12H3XK IKW15N120H3FKSA1
Jednostka masy:	38 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IKW15N120H3 Karta charakterystyki (PDF)

Product Catalogs

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

High Speed Trench & Fieldstop IGBTs

Infineon High Speed Trench & Fieldstop IGBTs use TrenchStop™ and Fieldstop technology to provide superb switching performance, very low V_CEsat, and low EMI. Infineon High Speed Trench & Fieldstop IGBTs are ideal for uninterruptible power supplies applications. The IGW25N120H3 IGBT is recommended in combination with SiC Diode IDH15S120 and is also used for solar inverter applications. The IKW15N120H3, IKW30N60H3, and IKW20N60H3 IGBTs are each part of a high speed DuoPack and come with a very soft, fast recovery anti-parallel diode.