IKW15N120BH6XKSA1

Infineon Technologies
726-IKW15N120BH6XKSA
IKW15N120BH6XKSA1

Produc.:

Opis:
IGBTs INDUSTRY

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 2 205

Stany magazynowe:
2 205 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
13,27 zł 13,27 zł
8,40 zł 84,00 zł
6,80 zł 680,00 zł
5,08 zł 2 438,40 zł
4,70 zł 5 640,00 zł
4,45 zł 11 748,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Infineon
Kategoria produktów: Tranzystory IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.9 V
- 20 V, 20 V
30 A
200 W
- 40 C
+ 175 C
TRENCHSTOP IGBT6
Tube
Marka: Infineon Technologies
Ciągły prąd kolektora – Ic max.: 30 A
Kraj montażu: CN
Kraj wytworzenia: DE
Kraj pochodzenia: DE
Prąd upływowy bramka–emiter: 600 nA
Rodzaj produktu: IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta: 240
Podkategoria: IGBTs
Nazwa handlowa: TRENCHSTOP
Nazwy umowne nr części: IKW15N120BH6 SP001666618
Jednostka masy: 6 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

1200V TRENCHSTOP™ IGBT6

Infineon Technologies 1200V TRENCHSTOP™ IGBT6 are designed to meet requirements of high efficiency, lower conduction losses, and switching losses. These TRENCHSTOP IGBT6 feature low gate charge, low Electromagnetic Interference (EMI), easy paralleling capability, high efficiency in hard switching, and resonant topologies. The TRENCHSTOP IGBT6 is released in 2 product families, low conduction losses optimized S6 series and improved switching losses H6 series. These IGBT6 are plug-and-play replacements of predecessor HighSpeed3 H3 IGBT. The TRENCHSTOP IGBT6 implement the trench and fieldstop technology copacked with soft and fast recovery anti-parallel diode. These 1200V TRENCHSTOP IGBT6 achieve easy paralleling capability due to positive temperature coefficient in VCEsat. Typical applications include industrial UPS, energy storage, three-level solar string inverter, and welding.