Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IKW15N120BH6XKSA1

Name: Infineon IKW15N120BH6XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW15N120BH6XKSA
Price: 13.27 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IKW15N120BH6XKSA

Nr prod.:

IKW15N120BH6XKSA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

IGBTs INDUSTRY

Karta charakterystyki:

IKW15N120BH6XKSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IKW15N120BH6XKSA1

Na stanie magazynowym: 2 205

Stany magazynowe:: 2 205 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	13,27 zł	13,27 zł
	8,40 zł	84,00 zł
	6,80 zł	680,00 zł
	5,08 zł	2 438,40 zł
	4,70 zł	5 640,00 zł
	4,45 zł	11 748,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Tranzystory IGBT
RoHS:
Technologia:	Si
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Styl mocowania:	Through Hole
Konfiguracja:	Single
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	1.2 kV
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1.9 V
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	- 20 V, 20 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	30 A
Pd – strata mocy:	200 W
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Seria:	TRENCHSTOP IGBT6
Opakowanie:	Tube
Marka:	Infineon Technologies
Ciągły prąd kolektora – Ic max.:	30 A
Kraj montażu:	CN
Kraj wytworzenia:	DE
Kraj pochodzenia:	DE
Prąd upływowy bramka–emiter:	600 nA
Rodzaj produktu:	IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta:	240
Podkategoria:	IGBTs
Nazwa handlowa:	TRENCHSTOP
Nazwy umowne nr części:	IKW15N120BH6 SP001666618
Jednostka masy:	6 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IKW15N120BH6XKSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Models

IKW15N120BH6XKSA1 Symbol & Footprint by SnapMagic

Product Catalogs

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

1200V TRENCHSTOP™ IGBT6

Infineon Technologies 1200V TRENCHSTOP™ IGBT6 are designed to meet requirements of high efficiency, lower conduction losses, and switching losses. These TRENCHSTOP IGBT6 feature low gate charge, low Electromagnetic Interference (EMI), easy paralleling capability, high efficiency in hard switching, and resonant topologies. The TRENCHSTOP IGBT6 is released in 2 product families, low conduction losses optimized S6 series and improved switching losses H6 series. These IGBT6 are plug-and-play replacements of predecessor HighSpeed3 H3 IGBT. The TRENCHSTOP IGBT6 implement the trench and fieldstop technology copacked with soft and fast recovery anti-parallel diode. These 1200V TRENCHSTOP IGBT6 achieve easy paralleling capability due to positive temperature coefficient in V_CEsat. Typical applications include industrial UPS, energy storage, three-level solar string inverter, and welding.