IKW08N120CS7XKSA1

Infineon Technologies
726-IKW08N120CS7XKSA
IKW08N120CS7XKSA1

Produc.:

Opis:
IGBTs 1200 V, 8 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IKW08N120CS7XKSA1

Na stanie magazynowym: 7

Stany magazynowe:
7
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
240
Oczekiwane: 12.03.2026
Średni czas produkcji:
14
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
15,78 zł 15,78 zł
8,86 zł 88,60 zł
6,88 zł 688,00 zł
5,89 zł 2 827,20 zł
5,81 zł 6 972,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Infineon
Kategoria produktów: Tranzystory IGBT
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.65 V
- 20 V, 20 V
21 A
106 W
- 40 C
+ 175 C
IGBT7 S7
Tube
Marka: Infineon Technologies
Prąd upływowy bramka–emiter: 100 nA
Rodzaj produktu: IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta: 240
Podkategoria: IGBTs
Nazwa handlowa: TRENCHSTOP
Nazwy umowne nr części: IKW08N120CS7 SP005419704
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

Product Catalogs

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

IGBT7 Discretes

Infineon Technologies IGBT7 Discretes are the 7th generation of TRENCHSTOP™ IGBTs, created with micro-pattern trench technology. The advanced technology delivers unparalleled control and performance, resulting in significant loss reduction, improved efficiency, and increased power density in applications.

1200V Gen8 IGBTs

Infineon 1200V Gen8 IGBTs feature trench gate field stop technology delivered in industry standard TO-247 packages to provide best-in-class performance for industrial and energy-saving applications. The Gen8 technology offers softer turn-off characteristics ideal for motor drive applications, minimizing dv/dt to reduce EMI, and over-voltage, increasing reliability and ruggedness. Infineon 1200V Gen8 IGBTs have current ratings from 8A up to 60A with typical VCE(ON) of 1.7V, and a short-circuit rating of 10µs to reduce power dissipation, resulting in increased power density and robustness. Using thin wafer technology, 1200V Gen8 IGBTs deliver improved thermal resistance and maximum junction temperature up to +175°C.

TRENCHSTOP™ IGBT7 Discretes & Modules

Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7 Discretes and Modules are designed for variable-speed drives. If only half of all industrial drives had electric speed control, 20% of energy or 17 million tons of CO2 could be saved. Infineon facilitates this switch with the TRENCHSTOP IGBT7 technology.

TRENCHSTOP™ IGBT7 S7

Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7 S7 offers an extensive 1200V portfolio for all industrial applications requiring short circuit capability/ruggedness. The IGBT7 S7 is an efficient short-circuit rugged discrete IGBT providing at least 10% lower saturation voltage than others.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.