IKP20N60T

Infineon Technologies
726-IKP20N60T
IKP20N60T

Produc.:

Opis:
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A

Cykl życia:
Wycofane z eksploatacji:
Produkt został uznany przez producenta za przestarzały i zostanie wycofany z oferty.
Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 2

Stany magazynowe:
2
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
3 000
Oczekiwane: 25.06.2026
Średni czas produkcji:
19
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
9,89 zł 9,89 zł
5,72 zł 57,20 zł
4,56 zł 456,00 zł
3,59 zł 1 795,00 zł
3,07 zł 3 070,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Infineon
Kategoria produktów: Tranzystory IGBT
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
600 V
1.5 V
- 20 V, 20 V
41 A
166 W
- 40 C
+ 175 C
TRENCHSTOP IGBT
Tube
Marka: Infineon Technologies
Prąd upływowy bramka–emiter: 100 nA
Rodzaj produktu: IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta: 500
Podkategoria: IGBTs
Nazwa handlowa: TRENCHSTOP
Nazwy umowne nr części: SP000683066 IKP2N6TXK IKP20N60TXKSA1
Jednostka masy: 6 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

EOL

Product Catalogs

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Ultrafast 600V Trench IGBTs

Infineon Ultrafast 600V Trench IGBTs are rugged, reliable Insulated Gate Bipolar Transistors optimized for Uninterruptible Power Supplies (UPS), solar, industrial motor, and welding applications. These Ultrafast 600V Trench IGBTs utilize Trench thin wafer technology to offer lower conduction and switching losses. Infineon Ultrafast 600V Trench IGBTs are co-packaged with a soft recovery low Qrr diode. These devices are ideal for ultra-fast switching (8KHz to 30KHz) applications with 5µs short circuit rating. They feature low Vce(on) and positive Vce(on) temperature coefficient for easy paralleling.

IGBT Gate Drives with Murata DC-DC Converters

Infineon IGBTs are commonly used in high-power inverter and converter circuits that require significant isolated gate drive power to switch optimally. Murata small isolated DC/DC converters can provide that power. The same considerations apply in principle to gate drives for silicon, silicon carbide, and gallium nitride MOSFETs.

300V to 1200V IGBTs

Infineon 300-1200V IGBTs have an extensive portfolio of IGBTs that achieves the highest performance for specific application requirements. The Infineon IGBT portfolio includes the new ultra-fast IRG7PH 1200V Trench IGBTs that offer higher system efficiency while cutting switching losses and delivering higher switching frequencies. Infineon IRG7PH ultra-fast 1200V IGBTs utilize thin wafer Field-Stop Trench technology that significantly reduces switching and conduction losses to deliver higher power density and greater efficiency at higher frequencies.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.