Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IDH10G65C5XKSA2

Name: Infineon IDH10G65C5XKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IDH10G65C5XKSA2
Price: 15.87 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IDH10G65C5XKSA2

Nr prod.:

IDH10G65C5XKSA2

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

Karta charakterystyki:

IDH10G65C5XKSA2 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IDH10G65C5XKSA2

Na stanie magazynowym: 325

Stany magazynowe:: 325

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 500

Oczekiwane: 02.03.2026
Średni czas produkcji:: 9

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	15,87 zł	15,87 zł
	8,13 zł	81,30 zł
	7,40 zł	740,00 zł
	7,10 zł	3 550,00 zł
	5,72 zł	5 720,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Diody SCHOTTKY SIC
RoHS:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-220-2
Konfiguracja:	Single
If – prąd przewodzenia diody:	10 A
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne:	650 V
Vf – Napięcie przewodzenia:	1.5 V
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia:	82 A
Ir – Prąd wsteczny:	500 nA
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Seria:	XDH10G65
Opakowanie:	Tube
Marka:	Infineon Technologies
Pd – strata mocy:	89 W
Rodzaj produktu:	SiC Schottky Diodes
Wielkość opakowania producenta:	500
Podkategoria:	Diodes & Rectifiers
Nazwa handlowa:	CoolSiC
Vr – napięcie wsteczne:	650 V
Nazwy umowne nr części:	IDH10G65C5 SP001632410
Jednostka masy:	2 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IDH10G65C5XKSA2 Karta charakterystyki (PDF)

Application Notes

Models

Other

Packaging:PG-TO220-2-1 | IDH10G65C5XKSA1 (PDF)

Product Catalogs

SPICE Models

PSpice CoolSiC™ Schottky diode 650V G5 IDHxxG65C5 (Kompresowanie Zip)

Technical Resources

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide CoolSiC™ MOSFETs & Diodes

Infineon Silicon Carbide CoolSiC™ MOSFETs and Diodes provide a portfolio that addresses the need for smarter, more efficient energy generation, transmission, and consumption. The CoolSiC portfolio addresses customers’ needs for reduced system size and cost in mid- to high-power systems while meeting the highest quality standards, providing a long system lifetime, and guaranteeing reliability. With CoolSiC, customers will reach the most stringent efficiency targets while seeing a drop in operational system costs. The portfolio is comprised of CoolSiC Schottky diodes, CoolSiC hybrid modules, CoolSiC MOSFET modules, and discrete, plus EiceDRIVER™ gate driver ICs for driving Silicon Carbide devices.

Experience the Difference in Power

Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.

Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes

Infineon Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes deliver market-leading efficiency at an attractive cost point. Infineon’s proprietary diffusion soldering process, already introduced with Generation 3, is now combined with a new, more compact design as well as the latest advancements in thin wafer technology, bringing improved thermal characteristics and lower Figures of Merit (Q_c x V_f).