Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IDH04G65C5XKSA2

Name: Infineon IDH04G65C5XKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IDH04G65C5XKSA2
Price: 8.51 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IDH04G65C5XKSA2

Nr prod.:

IDH04G65C5XKSA2

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

Karta charakterystyki:

IDH04G65C5XKSA2 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IDH04G65C5XKSA2

Na stanie magazynowym: 2 693

Stany magazynowe:: 2 693 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 17 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	8,51 zł	8,51 zł
	4,18 zł	41,80 zł
	3,70 zł	370,00 zł
	2,44 zł	1 220,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Diody SCHOTTKY SIC
RoHS:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-220-2
Konfiguracja:	Single
If – prąd przewodzenia diody:	4 A
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne:	650 V
Vf – Napięcie przewodzenia:	1.5 V
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia:	38 A
Ir – Prąd wsteczny:	200 nA
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Seria:	XDH04G65
Opakowanie:	Tube
Marka:	Infineon Technologies
Pd – strata mocy:	48 W
Rodzaj produktu:	SiC Schottky Diodes
Wielkość opakowania producenta:	500
Podkategoria:	Diodes & Rectifiers
Nazwa handlowa:	CoolSiC
Vr – napięcie wsteczne:	650 V
Nazwy umowne nr części:	IDH04G65C5 SP001632402
Jednostka masy:	2 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IDH04G65C5XKSA2 Karta charakterystyki (PDF)

Models

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

SPICE Models

Simulation Model SiC Diodes CoolSiC™ PSpice Generation 5 650V IDHxxG65C5 (Kompresowanie Zip)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Experience the Difference in Power

Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.

Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes

Infineon Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes deliver market-leading efficiency at an attractive cost point. Infineon’s proprietary diffusion soldering process, already introduced with Generation 3, is now combined with a new, more compact design as well as the latest advancements in thin wafer technology, bringing improved thermal characteristics and lower Figures of Merit (Q_c x V_f).

Silicon Carbide CoolSiC™ MOSFETs & Diodes

Infineon Silicon Carbide CoolSiC™ MOSFETs and Diodes provide a portfolio that addresses the need for smarter, more efficient energy generation, transmission, and consumption. The CoolSiC portfolio addresses customers’ needs for reduced system size and cost in mid- to high-power systems while meeting the highest quality standards, providing a long system lifetime, and guaranteeing reliability. With CoolSiC, customers will reach the most stringent efficiency targets while seeing a drop in operational system costs. The portfolio is comprised of CoolSiC Schottky diodes, CoolSiC hybrid modules, CoolSiC MOSFET modules, and discrete, plus EiceDRIVER™ gate driver ICs for driving Silicon Carbide devices.

CoolSiC™ Schottky Diodes

Infineon CoolSiC™ Schottky Diodes provide a relatively high on-state resistance and leakage current. In SiC material, Schottky diodes can reach a much higher breakdown voltage. The Infineon portfolio of SiC Schottky products covers 600V and 650V to 1200V Schottky diodes. Combining a fast silicon-based switch with a CoolSiC™ Schottky diode is often termed a “hybrid” solution. In recent years, Infineon has manufactured several millions of hybrid modules and has seen them installed in various customer products in applications like solar and uninterruptible power supplies (UPS).