Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IAUZN08S7N046ATMA1

Name: Infineon IAUZN08S7N046ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IAUZN08S7N046ATM
Price: 8.86 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IAUZN08S7N046ATM

Nr prod.:

IAUZN08S7N046ATMA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

IAUZN08S7N046ATMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IAUZN08S7N046ATMA1

Na stanie magazynowym: 3 340

Stany magazynowe:: 3 340 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	8,86 zł	8,86 zł
	5,68 zł	56,80 zł
	3,92 zł	392,00 zł
	3,31 zł	1 655,00 zł
	2,87 zł	2 870,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)
	2,63 zł	13 150,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PG-TDSON-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	80 V
Id – Ciągły prąd drenu:	99 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	4.6 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3.2 V
Qg – ładunek bramki:	27.2 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	94 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	OptiMOS
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	MY
Kraj wytworzenia:	AT
Kraj pochodzenia:	AT
Czas zanikania:	7 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	3.7 ns
Seria:	OptiMOS 7
Wielkość opakowania producenta:	5000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	12.2 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	6.4 ns
Nazwy umowne nr części:	IAUZN08S7N046 SP006018213

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IAUZN08S7N046ATMA1 Karta charakterystyki (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Motoryzacyjne tranzystory mocy MOSFET OptiMOS™ 7 80 V

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 80V Automotive Power MOSFETs are built with Infineon’s leading-edge, power semiconductor technology. These MOSFETs are designed specifically for the high performance, quality, and robustness needed for demanding automotive applications. The OptiMOS™ 7 80V MOSFETs operate with a ±20V_GS gate source voltage and a temperature range of -55°C to 175°C. These MOSFETs are offered in top-side cooled SSO10T 5x7mm2 SMD package. The SSO10T package helps users achieve advancements in cooling and power density. The 80V power MOSFETs are MSL-1 rated, RoHS compliant, and 100% avalanche tested. These power MOSFETs are ideal for general automotive applications.

OptiMOS™ 7 Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies is introducing its leading OptiMOS™ 7 Automotive Power MOSFETs technology with remarkably low on-state resistance, reduced switching losses, and enhanced ruggedness. OptiMOS 7 redefines the landscape of automotive power MOSFETs. The OptiMOS 7 MOSFET technology from Infineon establishes a new standard for automotive applications, allowing performance and efficiency while addressing the challenges of tomorrow's automotive systems.