Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

HT8MB5TB1

Name: ROHM Semiconductor HT8MB5TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-HT8MB5TB1
Price: 7.53 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-HT8MB5TB1

Nr prod.:

HT8MB5TB1

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

MOSFETs HSMT8 NPCH 40V 12A

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

HT8MB5TB1 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor HT8MB5TB1

Na stanie magazynowym: 2 691

Stany magazynowe:: 2 691 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	7,53 zł	7,53 zł
	4,82 zł	48,20 zł
	3,19 zł	319,00 zł
	2,61 zł	1 305,00 zł
	2,32 zł	2 320,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	1,98 zł	5 940,00 zł
	1,96 zł	11 760,00 zł
	1,94 zł	46 560,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	HSMT-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel, P-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V, 40 V
Id – Ciągły prąd drenu:	12 A, 15 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	47 mOhms, 56 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.5 V, 2.5 V
Qg – ładunek bramki:	3.5 nC, 16.7 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	13 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	Dual
Czas zanikania:	2.7 ns, 41 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	2.1 S, 6 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	4.7 ns, 29 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	11 ns, 86 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	5 ns, 9.6 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

HT8MB5TB1 Karta charakterystyki

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Small Signal Dual Channel MOSFETs

ROHM Semiconductor Small Signal Dual Channel MOSFETs feature low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are RoHS compliant and include Pb-free plating. The dual channel MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are used in motor drives and switching applications.