Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

HAS530M12BM3

Name: Wolfspeed HAS530M12BM3
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-HAS530M12BM3
Price: 3374.3 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

941-HAS530M12BM3

Nr prod.:

HAS530M12BM3

Produc.:

Wolfspeed

Opis:

Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 530A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

HAS530M12BM3 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Wolfspeed HAS530M12BM3

Na stanie magazynowym: 11

Stany magazynowe:: 11 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 4 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	3 374,30 zł	3 374,30 zł
	2 976,37 zł	29 763,70 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Wolfspeed
Kategoria produktów:	Moduły półprzewodnikowe dyskretne
RoHS:
Produkt:	Half Bridge Modules
Rodzaj:	Half Bridge
Technologia:	SiC
Vf – Napięcie przewodzenia:	2 V
Vr – napięcie wsteczne:	800 V
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 8 V, + 19 V
Opakowanie/obudowa:	105 mm x 62 mm x 31 mm
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Marka:	Wolfspeed
Konfiguracja:	Half Bridge
Id – Ciągły prąd drenu:	630 A
Pd – strata mocy:	2 kW
Rodzaj produktu:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On – rezystancja dren–źródło:	3.47 mOhms
Wielkość opakowania producenta:	1
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.5 V

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

HAS530M12BM3 Karta charakterystyki (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HAS Harsh Environment SiC Half-Bridge Modules

Wolfspeed HAS Harsh Environment Silicon Carbide (SiC) Half-Bridge Modules provide the system benefits of SiC while maintaining the robust, industry-standard 62mm module package. The internal design, due to the low-inductance layout, enables high-speed SiC switching benefits and increased system efficiency. The Wolfspeed HAS modules are a perfect fit for high-frequency industrial applications such as induction heating, rail/traction, motor drives, and EV charging infrastructures.

62mm Silicon Carbide Half-Bridge Modules

Wolfspeed 1200V and 1700V 62mm Silicon Carbide (SiC) Half-Bridge Modules combine the system benefits of SiC with a robust and low-inductance layout. The half-bridge modules feature increased system efficiency due to SiC's low switching and conduction losses. These power modules include a low-inductance internal layout, enabling maximum voltage utilization with minimal overshoot and ringing. The half-bridge modules are chosen from aluminum nitride ceramic for reduced thermal resistance with robust CTE matching and silicon nitride ceramic for sustained maximum junction temperature operation.