Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

GE06MPS06Q-TR

Name: Navitas Semiconductor GE06MPS06Q-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-GE06MPS06Q-TR
Price: 4.6 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

905-GE06MPS06Q-TR

Nr prod.:

GE06MPS06Q-TR

Produc.:

GeneSiC Semiconductor

Opis:

SiC Schottky Diodes 650V 6A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

GE06MPS06Q-TR Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o GeneSiC Semiconductor GE06MPS06Q-TR

Na stanie magazynowym: 2 978

Stany magazynowe:: 2 978 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	4,60 zł	4,60 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	4,60 zł	13 800,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Navitas Semiconductor
Kategoria produktów:	Diody SCHOTTKY SIC
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	QFN-8
Konfiguracja:	Single
If – prąd przewodzenia diody:	6 A
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne:	650 V
Vf – Napięcie przewodzenia:	1.25 V
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia:	33 A
Ir – Prąd wsteczny:	1 uA
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Seria:	SiC Schottky MPS
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	GeneSiC Semiconductor
Pd – strata mocy:	133 W
Rodzaj produktu:	SiC Schottky Diodes
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Diodes & Rectifiers
Vr – napięcie wsteczne:	650 V

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

GE06MPS06Q-TR Karta charakterystyki (PDF)

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with best-in-class surge current robustness and thermal conductivity. These diodes operate at 175°C maximum operating temperature and show temperature-independent switching behavior. The 650V SiC Schottky diodes feature superior Avalanche (UIS) capability and low device capacitance. One key advantage of these diodes is the ease of paralleling devices without thermal runaway. Typical applications include SMPS, EVs, motor drives, LED and HID lighting, medical imaging systems, high voltage sensing, induction heating and welding, and pulsed power.

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A.