Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

GCMX080A120B2H1P

Name: SemiQ GCMX080A120B2H1P
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX080A120B2H1P
Price: 153.68 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

148-GCMX080A120B2H1P

Nr prod.:

GCMX080A120B2H1P

Produc.:

SemiQ

Opis:

MOSFET Modules SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module

Karta charakterystyki:

GCMX080A120B2H1P Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o SemiQ GCMX080A120B2H1P

Na stanie magazynowym: 35

Stany magazynowe:: 35 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	153,68 zł	153,68 zł
	129,73 zł	1 297,30 zł
	129,69 zł	12 969,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 40)
	129,73 zł	5 189,20 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	SemiQ
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	SiC
Styl mocowania:	Press Fit
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	27 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	77 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 5 V, + 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1.8 V
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	119 W
Seria:	GCMX
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	SemiQ
Czas zanikania:	4 ns
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Czas narastania:	3 ns
Wielkość opakowania producenta:	40
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Rodzaj:	Full Bridge
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	18 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	10 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

GCMX080A120B2H1P Karta charakterystyki (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Pełnomostkowe moduły MOSFET SiC 1200 V

Moduły pełnomostkowe MOSFET GCMX 1200V SiC firmy SemiQ oferują niskie straty przełączania, niską rezystancję termiczną między złączem a obudową oraz bardzo wytrzymały i łatwy montaż. Moduły te pozwalają bezpośrednio umocować radiator (osobny pakiet) i oferują punkt odniesienia Kelvina zapewniający stabilną pracę. Wszystkie części zostały rygorystycznie przetestowane dla napięć powyżej 1350 V. Cechą charakterystyczną tych modułów jest solidne napięcie dren-źródło 1200 V. Moduły pełnomostkowe GCMX pracują w temperaturze złącza 175°C i są zgodne z dyrektywą RoHS. Typowe zastosowania obejmują falowniki fotowoltaiczne, ładowarki akumulatorów, systemy magazynowania energii oraz wysokonapięciowe przetwornice DC-DC.