Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

GCMX010A120B3H1P

Name: SemiQ GCMX010A120B3H1P
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX010A120B3H1P
Price: 434.99 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

148-GCMX010A120B3H1P

Nr prod.:

GCMX010A120B3H1P

Produc.:

SemiQ

Opis:

MOSFET Modules 1200V, 10mohm SiC MOSFET Full Bridge Module

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

GCMX010A120B3H1P Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o SemiQ GCMX010A120B3H1P

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 20 Wielokrotności: 20

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	434,99 zł	8 699,80 zł
	393,97 zł	39 397,00 zł
500	Oferta

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	SemiQ
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
RoHS:
Technologia:	SiC
Styl mocowania:	Press Fit
Opakowanie/obudowa:	B3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	4 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	201 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	8.9 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 5 V, + 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	600 W
Seria:	GCMX
Opakowanie:	Bulk
Marka:	SemiQ
Czas zanikania:	15 ns
Wysokość:	15.2 mm
Długość:	62.8 mm
Produkt:	Modules
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Czas narastania:	9 ns
Wielkość opakowania producenta:	20
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Rodzaj:	Full Bridge Module
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	50 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	32 ns
Vf – Napięcie przewodzenia:	3.9 V
Szerokość:	56.7 mm

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

GCMX010A120B3H1P Karta charakterystyki (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Pełnomostkowe moduły MOSFET SiC 1200 V

Moduły pełnomostkowe MOSFET GCMX 1200V SiC firmy SemiQ oferują niskie straty przełączania, niską rezystancję termiczną między złączem a obudową oraz bardzo wytrzymały i łatwy montaż. Moduły te pozwalają bezpośrednio umocować radiator (osobny pakiet) i oferują punkt odniesienia Kelvina zapewniający stabilną pracę. Wszystkie części zostały rygorystycznie przetestowane dla napięć powyżej 1350 V. Cechą charakterystyczną tych modułów jest solidne napięcie dren-źródło 1200 V. Moduły pełnomostkowe GCMX pracują w temperaturze złącza 175°C i są zgodne z dyrektywą RoHS. Typowe zastosowania obejmują falowniki fotowoltaiczne, ładowarki akumulatorów, systemy magazynowania energii oraz wysokonapięciowe przetwornice DC-DC.