Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

GCMX010A120B3B1P

Name: SemiQ GCMX010A120B3B1P
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX010A120B3B1P
Price: 283.28 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

148-GCMX010A120B3B1P

Nr prod.:

GCMX010A120B3B1P

Produc.:

SemiQ

Opis:

MOSFET Modules SiC 1200V 10mohm MOSFET Half-Bridge Module

Karta charakterystyki:

GCMX010A120B3B1P Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o SemiQ GCMX010A120B3B1P

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: Zleć wycenę przesyłki

Wpisz ilość:

Minimum: 40 Wielokrotności: 40

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 40)
	283,28 zł	11 331,20 zł
	268,28 zł	32 193,60 zł
1 000	Oferta

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	SemiQ
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
RoHS:
Technologia:	SiC
Styl mocowania:	Screw Mount
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	173 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	9 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 5 V, + 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1.8 V
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	577 W
Seria:	GCMX
Opakowanie:	Reel
Marka:	SemiQ
Czas zanikania:	28 ns
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Czas narastania:	17 ns
Wielkość opakowania producenta:	40
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Rodzaj:	Half-Bridge
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	86 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	43 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

GCMX010A120B3B1P Karta charakterystyki (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Półmostkowe moduły MOSFET SiC 1200 V

Moduły półmostkowe MOSFET GCMX 1200V SiC firmy SemiQ oferują niskie straty przełączania, niską rezystancję termiczną między złączem a obudową oraz bardzo wytrzymały i łatwy montaż. Moduły te pozwalają bezpośrednio umocować radiator (osobny pakiet) i oferują punkt odniesienia Kelvina zapewniający stabilną pracę. Wszystkie części zostały rygorystycznie przetestowane dla napięć powyżej 1350 V. Wyjątkową cechą tych modułów jest solidne napięcie dren-źródło 1200 V. Moduły półmostkowe GCMX pracują w temperaturze złącza 175°C i są zgodne z dyrektywą RoHS. Typowe zastosowania obejmują falowniki fotowoltaiczne, ładowarki akumulatorów, systemy magazynowania energii oraz wysokonapięciowe przetwornice DC-DC.