Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

GCMX005A120S3B1-N

Name: SemiQ GCMX005A120S3B1-N
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX005A120S3B1N
Price: 643.58 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

148-GCMX005A120S3B1N

Nr prod.:

GCMX005A120S3B1-N

Produc.:

SemiQ

Opis:

MOSFET Modules 1200V, 5mohm SiC MOSFET Half Bridge Module

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

GCMX005A120S3B1-N Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o SemiQ GCMX005A120S3B1-N

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 15 Wielokrotności: 15

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	643,58 zł	9 653,70 zł
105	Oferta

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	SemiQ
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
RoHS:
Technologia:	SiC
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	S3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	424 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	7 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 5 V, + 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	1.531 kW
Seria:	GCMX
Opakowanie:	Bulk
Marka:	SemiQ
Czas zanikania:	24 ns
Wysokość:	30.9 mm
Długość:	106.4 mm
Produkt:	Modules
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Czas narastania:	18 ns
Wielkość opakowania producenta:	15
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Rodzaj:	Half Bridge Module
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	114 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	65 ns
Vf – Napięcie przewodzenia:	4 V
Szerokość:	61.4 mm

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

GCMX005A120S3B1-N Karta charakterystyki (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Półmostkowe moduły MOSFET SiC 1200 V

Moduły półmostkowe MOSFET GCMX 1200V SiC firmy SemiQ oferują niskie straty przełączania, niską rezystancję termiczną między złączem a obudową oraz bardzo wytrzymały i łatwy montaż. Moduły te pozwalają bezpośrednio umocować radiator (osobny pakiet) i oferują punkt odniesienia Kelvina zapewniający stabilną pracę. Wszystkie części zostały rygorystycznie przetestowane dla napięć powyżej 1350 V. Wyjątkową cechą tych modułów jest solidne napięcie dren-źródło 1200 V. Moduły półmostkowe GCMX pracują w temperaturze złącza 175°C i są zgodne z dyrektywą RoHS. Typowe zastosowania obejmują falowniki fotowoltaiczne, ładowarki akumulatorów, systemy magazynowania energii oraz wysokonapięciowe przetwornice DC-DC.

GCMX005A120S3B1-N QSiC™ MOSFET

SemiQ GCMX005A120S3B1-N QSiC™ MOSFET offers enhanced design flexibility and performance in current applications. The QSiC MOSFET operates with near-zero switching loss, increasing efficiency while reducing heat dissipation and the need for large heatsinks. Standing at 26.3mm in height with an industry-standard 62mm footprint, this module addresses the size, weight, and power demands of challenging applications. SemiQ GCMX005A120S3B1-N QSiC MOSFET features a 400A current rating and is suitable for induction heaters, welding equipment, and uninterruptible power supplies (UPS).