GCMS020B120S1-E1

Name: SemiQ GCMS020B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMS020B120S1-E1
Price: 104.53 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

148-GCMS020B120S1-E1

Nr prod.:

GCMS020B120S1-E1

Produc.:

SemiQ

Opis:

Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET & 50A SBD SOT-227

Karta charakterystyki:

GCMS020B120S1-E1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o SemiQ GCMS020B120S1-E1

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: Zleć wycenę przesyłki

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	104,53 zł	3 135,90 zł
	97,61 zł	11 713,20 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	SemiQ
Kategoria produktów:	Moduły półprzewodnikowe dyskretne
RoHS:
Produkt:	MOSFET-SiC SBD Modules
Rodzaj:	Silicon Carbide (SiC) Module
Technologia:	SiC
Vf – Napięcie przewodzenia:	1.49 V
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 5 V, + 10 V
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	SOT-227-4
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Seria:	GCMS
Opakowanie:	Tube
Marka:	SemiQ
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	25 ns
Id – Ciągły prąd drenu:	113 A
Pd – strata mocy:	395 W
Rodzaj produktu:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On – rezystancja dren–źródło:	28 mOhms
Czas narastania:	8 ns
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Discrete Semiconductor Modules
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	46 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	25 ns
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

GCMS020B120S1-E1 Karta charakterystyki (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.