Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

FS1150R08A8P3CHPSA1

Name: Infineon FS1150R08A8P3CHPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS1150R08A8P3CHP
Price: 2129.75 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-FS1150R08A8P3CHP

Nr prod.:

FS1150R08A8P3CHPSA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

Discrete Semiconductor Modules HybridPACK Drive G2 module

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

FS1150R08A8P3CHPSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies FS1150R08A8P3CHPSA1

Na stanie magazynowym: 3

Stany magazynowe:: 3 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	2 129,75 zł	2 129,75 zł
	1 896,17 zł	22 754,04 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Moduły półprzewodnikowe dyskretne
RoHS:
Produkt:	Power Modules
Rodzaj:	Drive G2 Module
Technologia:	SiC
Vf – Napięcie przewodzenia:	1.76 V
Vr – napięcie wsteczne:	400 V
Styl mocowania:	Press Fit
Opakowanie/obudowa:	DIP-7
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 V
Seria:	HybridPACK
Opakowanie:	Tray
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	Sixpack
Czas zanikania:	91 ns
Id – Ciągły prąd drenu:	600 A
Pd – strata mocy:	1 kW
Rodzaj produktu:	Discrete Semiconductor Modules
Czas narastania:	50 ns
Wielkość opakowania producenta:	6
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	929 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	222 ns
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	750 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	5.8 V
Nazwy umowne nr części:	FS1150R08A8P3C SP006071554

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

FS1150R08A8P3CHPSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HybridPACK™ Drive G2 Modules

Infineon Technologies HybridPACK™ Drive G2 Modules are compact power modules designed for hybrid and electric vehicle traction. The Infineon Technologies G2 modules offer scalable performance levels using Si or SiC technologies and different chipsets, maintaining the same module size. Introduced in 2017 with silicon EDT2 technology, it was optimized for efficiency in real-world driving. In 2021, a CoolSiC™ version was introduced, offering higher cell density and better performance. In 2023, the second generation, HybridPACK Drive G2, was launched with EDT3 (Si IGBT) and CoolSiC™ G2 MOSFET technologies, providing ease of use and integration options for sensors, enabling up to 300kW performance within 750V and 1200V classes.