FS01MR08A8MA2LBCHPSA1

Infineon Technologies
726-FS01MR08A8MA2LBC
FS01MR08A8MA2LBCHPSA1

Produc.:

Opis:
Discrete Semiconductor Modules HYBRID PACK DRIVE G2 SIC

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 11

Stany magazynowe:
11 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
39 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
3 665,19 zł 3 665,19 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Infineon
Kategoria produktów: Moduły półprzewodnikowe dyskretne
RoHS:  
SiC
G2
Tray
Marka: Infineon Technologies
Rodzaj produktu: Discrete Semiconductor Modules
Wielkość opakowania producenta: 6
Podkategoria: Discrete Semiconductor Modules
Nazwa handlowa: HybridPACK
Nazwy umowne nr części: FS01MR08A8MA2LBC SP005567339
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

HybridPACK™ Drive G2 Modules

Infineon Technologies HybridPACK™ Drive G2 Modules are compact power modules designed for hybrid and electric vehicle traction. The Infineon Technologies G2 modules offer scalable performance levels using Si or SiC technologies and different chipsets, maintaining the same module size. Introduced in 2017 with silicon EDT2 technology, it was optimized for efficiency in real-world driving. In 2021, a CoolSiC™ version was introduced, offering higher cell density and better performance. In 2023, the second generation, HybridPACK Drive G2, was launched with EDT3 (Si IGBT) and CoolSiC™ G2 MOSFET technologies, providing ease of use and integration options for sensors, enabling up to 300kW performance within 750V and 1200V classes.