Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

FS01MR08A8MA2CHPSA1

Name: Infineon FS01MR08A8MA2CHPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS01MR08A8MA2CHP
Price: 4484.81 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-FS01MR08A8MA2CHP

Nr prod.:

FS01MR08A8MA2CHPSA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

Discrete Semiconductor Modules HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

FS01MR08A8MA2CHPSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies FS01MR08A8MA2CHPSA1

Na stanie magazynowym: 5

Stany magazynowe:: 5 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 39 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	4 484,81 zł	4 484,81 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Moduły półprzewodnikowe dyskretne
RoHS:
Produkt:	SiC MOSFET Modules
Rodzaj:	Bridge Power Module
Technologia:	SiC
Vf – Napięcie przewodzenia:	4.64 V
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 5 V, + 19 V
Styl mocowania:	Press Fit
Seria:	HybridPACK
Opakowanie:	Tray
Marka:	Infineon Technologies
Czas zanikania:	53 ns
Id – Ciągły prąd drenu:	620 A
Rodzaj produktu:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On – rezystancja dren–źródło:	1.69 mOhms
Czas narastania:	108 ns
Wielkość opakowania producenta:	6
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	318 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	128 ns
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	750 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3.9 V
Nazwy umowne nr części:	FS01MR08A8MA2C SP006071563

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

FS01MR08A8MA2CHPSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

ECCN:: EAR99

HybridPACK™ Drive G2 Modules

Infineon Technologies HybridPACK™ Drive G2 Modules are compact power modules designed for hybrid and electric vehicle traction. The Infineon Technologies G2 modules offer scalable performance levels using Si or SiC technologies and different chipsets, maintaining the same module size. Introduced in 2017 with silicon EDT2 technology, it was optimized for efficiency in real-world driving. In 2021, a CoolSiC™ version was introduced, offering higher cell density and better performance. In 2023, the second generation, HybridPACK Drive G2, was launched with EDT3 (Si IGBT) and CoolSiC™ G2 MOSFET technologies, providing ease of use and integration options for sensors, enabling up to 300kW performance within 750V and 1200V classes.