Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

FP35R12N2T7BPSA2

Name: Infineon FP35R12N2T7BPSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FP35R12N2T7BPSA2
Price: 242.05 PLN
Availability: InStock

Nr Mouser:

726-FP35R12N2T7BPSA2

Nr prod.:

FP35R12N2T7BPSA2

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

IGBT Modules 1200 V, 35 A PIM IGBT module

Karta charakterystyki:

FP35R12N2T7BPSA2 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies FP35R12N2T7BPSA2

Na stanie magazynowym: 14

Stany magazynowe:: 14 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	242,05 zł	242,05 zł
	210,01 zł	2 100,10 zł
	190,66 zł	20 019,30 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Moduły IGBT
RoHS:
Produkt:	IGBT Silicon Modules
Konfiguracja:	3-Phase Inverter
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	1.2 kV
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1.6 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	35 A
Prąd upływowy bramka–emiter:	100 nA
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Opakowanie:	Tray
Marka:	Infineon Technologies
Rodzaj produktu:	IGBT Modules
Wielkość opakowania producenta:	15
Podkategoria:	IGBTs
Technologia:	Si
Nazwy umowne nr części:	FP35R12N2T7 SP005597311 FP35R12N2T7BPSA1

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

FP35R12N2T7BPSA2 Karta charakterystyki (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

1200V PIM 3 Phase Input Rectifiers

Infineon Technologies 1200V PIM 3 Phase Input Rectifiers are EconoPIM™ 2 1200V, 100A three-phase PIM IGBT modules. The rectifiers feature TRENCHSTOP™ IGBT7, Emitter Controlled 7 diode and NTC. The PIM (Power Integrated Modules) with the integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings.

1200V PIM IGBT Modules

Infineon 1200V PIM IGBT Modules offer TRENCHSTOP™ IGBT7 and EC7 diode technology based on the latest micro-pattern trenches technology. This technology strongly reduces losses and provides a high level of controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas compared to the formerly used square trench cells. The chip is specially optimized for industrial drive applications and solar energy systems, which means much lower static losses, higher power density, and softer switching. A significant increase in power density can be obtained by raising the allowed maximum operating temperature up to 175°C in the Infineon 1200V PIM IGBT Modules.