FGD5T120SH

onsemi
512-FGD5T120SH
FGD5T120SH

Produc.:

Opis:
IGBTs 1200V 5A Field Stop Trench IGBT

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 8 894

Stany magazynowe:
8 894 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
11 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
8,82 zł 8,82 zł
5,68 zł 56,80 zł
3,88 zł 388,00 zł
3,08 zł 1 540,00 zł
2,84 zł 2 840,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
2,82 zł 7 050,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
onsemi
Kategoria produktów: Tranzystory IGBT
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
DPAK-3 (TO-252-3)
SMD/SMT
Single
1.2 kV
2.9 V
- 25 V, 25 V
10 A
69 W
- 55 C
+ 150 C
FGD5T120SH
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: onsemi
Ciągły prąd kolektora – Ic max.: 10 A
Prąd upływowy bramka–emiter: +/- 400 nA
Rodzaj produktu: IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta: 2500
Podkategoria: IGBTs
Jednostka masy: 260,370 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Field Stop IGBTs

onsemi Field Stop (FS) IGBTs offer optimum performance with low conduction and switching losses. These IGBTs feature high current handling capability, positive temperature coefficient, tight parameter distribution, and a wide safe operating area. The FS IGBTs come with increased breakdown voltage that improves reliability where negative ambient temperatures are present. As the temperature decreases the IGBT and FRD blocking voltage also decreases that makes the devices particularly beneficial for PV solar inverters used in colder climates. onsemi IGBTs provide fast and soft recovery that reduces power dissipation and achieves low turn-on and turn-off losses.

1200V Field Stop Trench IGBTs

onsemi 1200V Field Stop Trench IGBTs feature minimized conduction losses by having a VCE(SAT) of 1.8V, lower than previous fast switching NPT IGBTs. The 1200V field stop trench IGBTs target hard switching industrial applications such as solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), and welders. The 1200V field stop trench IGBT series operates at high switching frequencies, and is 100% tested for clamped inductive switching at current levels of four times the rated current to guarantee a larger safe operating area. onsemi 1200V Field Stop Trench IGBTs are available in TO-247-3,  TO-247-4, and DPAK-3 packages, and are offered in 15A, 25A, and 40A ratings.