Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

FFSP20120A

Name: onsemi FFSP20120A
Brand: onsemi
SKU: 512-FFSP20120A
Price: 40.46 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

512-FFSP20120A

Nr prod.:

FFSP20120A

Produc.:

onsemi

Opis:

SiC Schottky Diodes 1200V 20A Silicon Carbide Schtky Diode

Karta charakterystyki:

FFSP20120A Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi FFSP20120A

Na stanie magazynowym: 105

Stany magazynowe:: 105 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	40,46 zł	40,46 zł
	27,86 zł	278,60 zł
	23,65 zł	2 365,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Diody SCHOTTKY SIC
RoHS:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-220-2
Konfiguracja:	Single
If – prąd przewodzenia diody:	20 A
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne:	1.2 kV
Vf – Napięcie przewodzenia:	1.45 V
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia:	135 A
Ir – Prąd wsteczny:	200 uA
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Seria:	FFSP20120A
Opakowanie:	Tube
Marka:	onsemi
Pd – strata mocy:	340 W
Rodzaj produktu:	SiC Schottky Diodes
Wielkość opakowania producenta:	50
Podkategoria:	Diodes & Rectifiers
Nazwa handlowa:	EliteSiC
Vr – napięcie wsteczne:	1.2 kV
Jednostka masy:	2,160 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

FFSP20120A Karta charakterystyki

PCN

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide Schottky Diodes

onsemi Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. SiC Schottky Diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. System benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost. onsemi offers 650V and 1200V devices in a range of current and package options, ideal for next-generation power system designs.

FFSP SiC Schottky Diodes

onsemi FFSP SiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes are designed to leverage the advantages of Silicon Carbide over Silicon (Si) devices. FFSP SiC Schottky Diodes feature drastically higher forward surge capability, lower reverse leakage, and no reverse recovery current. These SiC Schottky Diodes also feature temperature-independent switching characteristics and excellent thermal performance. This results in improved system efficiency, faster-operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices

onsemi Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The EliteSiC portfolio includes 650V, 1200V, and 1700V diodes, 650V and 1200V IGBT and SiC diode Power Integrated Modules (PIMs), 1200V MOSFETs and SiC MOSFET drivers, and AEC-Q100 qualified devices.

1200V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 1200V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.

D1 EliteSiC Diodes

onsemi D1 EliteSiC Diodes is a high-performance and versatile solution designed for modern power electronics applications. The onsemi D1 features voltage ratings of 650V, 1200V, and 1700V. These diodes offer the flexibility to meet various design requirements. Featuring different packages, such as D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2, and TO-247-3, the D1 EliteSiC Diodes provide designers with options to optimize board space and thermal performance.