FFSP1065B

onsemi
863-FFSP1065B
FFSP1065B

Produc.:

Opis:
SiC Schottky Diodes SIC DIODE 650V 10A

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o onsemi FFSP1065B

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
onsemi
Kategoria produktów: Diody SCHOTTKY SIC
RoHS:  
Through Hole
TO-220-2
Single
10 A
650 V
1.38 V
45 A
40 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSP1065B
Tube
Marka: onsemi
Pd – strata mocy: 75 W
Rodzaj produktu: SiC Schottky Diodes
Wielkość opakowania producenta: 50
Podkategoria: Diodes & Rectifiers
Nazwa handlowa: EliteSiC
Vr – napięcie wsteczne: 650 V
Jednostka masy: 3,698 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

PCN

Kody zgodności
CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99
Klasyfikacja pochodzenia
Kraj pochodzenia:
Chiny
Kraj montażu:
Chiny
Kraj wytworzenia:
Korea Południowa
Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.

FFSP SiC Schottky Diodes

onsemi FFSP SiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes are designed to leverage the advantages of Silicon Carbide over Silicon (Si) devices. FFSP SiC Schottky Diodes feature drastically higher forward surge capability, lower reverse leakage, and no reverse recovery current. These SiC Schottky Diodes also feature temperature-independent switching characteristics and excellent thermal performance. This results in improved system efficiency, faster-operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

Na stanie magazynowym: 825

Stany magazynowe:
825 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
15,25 zł 15,25 zł
7,77 zł 77,70 zł
6,51 zł 651,00 zł
5,75 zł 2 875,00 zł
5,00 zł 5 000,00 zł
4,96 zł 24 800,00 zł

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.