FFSD0865B-F085

onsemi
863-FFSD0865B-F085
FFSD0865B-F085

Produc.:

Opis:
SiC Schottky Diodes 650V 8A SIC SBD GEN1.5

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o onsemi FFSD0865B-F085

Na stanie magazynowym: 3 962

Stany magazynowe:
3 962 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
9 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Ilości większe niż 3962 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
13,80 zł 13,80 zł
8,99 zł 89,90 zł
6,32 zł 632,00 zł
5,59 zł 2 795,00 zł
5,12 zł 5 120,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
4,73 zł 11 825,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
onsemi
Kategoria produktów: Diody SCHOTTKY SIC
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Single
8 A
650 V
1.39 V
42 A
40 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSD0865B-F085
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: onsemi
Pd – strata mocy: 91 W
Rodzaj produktu: SiC Schottky Diodes
Wielkość opakowania producenta: 2500
Podkategoria: Diodes & Rectifiers
Nazwa handlowa: EliteSiC
Vr – napięcie wsteczne: 650 V
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

PCN

CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

FFSx0865B-F085 650V SiC Schottky Diodes

onsemi FFSx0865B-F085 650V 8A Silicon Carbide Schottky Diodes use a technology that provides superior switching performance and higher reliability. onsemi FFSx0865B-F085 SiC Diodes feature temperature-independent switching characteristics, no reverse recovery current, and excellent thermal performance. Additional benefits include the highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, reduced system size, and increased cost-effectiveness. The FFSx0865B-F085 650V, 8A SiC Schottky Diodes are available in a D2PAK-3 package.

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.