Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

FFSB0865B-F085

Name: onsemi FFSB0865B-F085
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSB0865B-F085
Price: 18.79 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-FFSB0865B-F085

Nr prod.:

FFSB0865B-F085

Produc.:

onsemi

Opis:

SiC Schottky Diodes 650V 8A SIC SBD GEN1.5

Karta charakterystyki:

FFSB0865B-F085 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi FFSB0865B-F085

Na stanie magazynowym: 867

Stany magazynowe:: 867 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 8 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Ilości większe niż 867 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 800)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	18,79 zł	18,79 zł
	12,51 zł	125,10 zł
	8,90 zł	890,00 zł
	7,91 zł	3 955,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 800)
	7,22 zł	5 776,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Diody SCHOTTKY SIC
RoHS:
REACH - SVHC:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	D2PAK-2
Konfiguracja:	Single
If – prąd przewodzenia diody:	8 A
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne:	650 V
Vf – Napięcie przewodzenia:	1.39 V
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia:	56 A
Ir – Prąd wsteczny:	500 nA
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Seria:	FFSB0865B-F085
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	onsemi
Pd – strata mocy:	73 W
Rodzaj produktu:	SiC Schottky Diodes
Wielkość opakowania producenta:	800
Podkategoria:	Diodes & Rectifiers
Nazwa handlowa:	EliteSiC
Vr – napięcie wsteczne:	650 V
Jednostka masy:	2,240 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

FFSB0865B-F085 Karta charakterystyki

PCN

ON Semiconductor MPN Label Format Change (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

FFSx0865B-F085 650V SiC Schottky Diodes

onsemi FFSx0865B-F085 650V 8A Silicon Carbide Schottky Diodes use a technology that provides superior switching performance and higher reliability. onsemi FFSx0865B-F085 SiC Diodes feature temperature-independent switching characteristics, no reverse recovery current, and excellent thermal performance. Additional benefits include the highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, reduced system size, and increased cost-effectiveness. The FFSx0865B-F085 650V, 8A SiC Schottky Diodes are available in a D2PAK-3 package.

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.