Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

FDMS86181

Name: onsemi FDMS86181
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS86181
Price: 14.7 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

512-FDMS86181

Nr prod.:

FDMS86181

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs 100V/20V N-Chnl Power Trench MOSFET

Karta charakterystyki:

FDMS86181 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi FDMS86181

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	Power-56-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	124 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	12 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2 V
Qg – ładunek bramki:	42 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	125 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	PowerTrench
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	6 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	116 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	9 ns
Seria:	FDMS86181
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	25 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	17 ns
Jednostka masy:	90 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

FDMS86181 Karta charakterystyki

PCN

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Filipiny
Kraj montażu:: Filipiny
Kraj wytworzenia:: Korea Południowa

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are 100V N-channel MV MOSFETs developed using an advanced PowerTrench process that integrates Shielded Gate Technology. These MOSFETs minimize on-state resistance (RDS_ON) and reverse recovery charge (Qrr) to deliver superior switching performance and efficiency. The small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr), and Figure of Merit (FOM) ensure fast switching for synchronous rectification applications. These devices have little to no voltage overshoot, reduces voltage ringing, and lowers EMI for applications requiring a 100V-rated MOSFET such as power supplies and motor drives. The power density of these MOSFETs allows wider MOSFET de-rating. These devices are 100% UIL tested and are available in an MSL1 robust package design.

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

ONSEMI

NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET

Features low R_DS(on) and low gate threshold with integrated ESD protection.

Dowiedz się więcej

NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET

Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.

Dowiedz się więcej

NTMFD0D9N02P1E MOSFET

Dual N-channel MOSFET designed with low R_g for fast switching applications.

Dowiedz się więcej

NVMFD5873NL Dual N-Channel Power MOSFETs

Designed for compact and efficient designs, including high thermal performance.

Dowiedz się więcej

NVBYST0D6N08X 80V N-Channel Power MOSFET

This device offers a low Q_RR and soft recovery body diode in a TCPAK1012 (TopCool) package.

Dowiedz się więcej

Na stanie magazynowym: 715

Stany magazynowe:: 715

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 9 000

Oczekiwane: 18.09.2026
Średni czas produkcji:: 53

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	14,70 zł	14,70 zł
	8,74 zł	87,40 zł
	7,01 zł	701,00 zł
	5,84 zł	2 920,00 zł
	5,17 zł	5 170,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	5,12 zł	15 360,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

FDMS86181

Produc.: onsemi

Opis: MOSFETs 100V/20V N-Chnl Power Trench MOSFET

Specyfikacja

Dokumenty (8)

Karta charakterystyki

PCN

Dokumenty dotyczące środowiska

Zgodność ze standardami produktowymi i przepisami handlu

Więcej informacji

Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs

Pozostali klienci kupili również

WYRÓŻNIONE PRODUKTY ONSEMI

Na stanie magazynowym: 715

Cennik (PLN)

QuickView (Szybki podgląd)

Wystąpił nieoczekiwany błąd.

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs 100V/20V N-Chnl Power Trench MOSFET

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

ONSEMI