Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

FDMS0312S

Name: onsemi FDMS0312S
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS0312S
Price: 4.01 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

512-FDMS0312S

Nr prod.:

FDMS0312S

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs 30V N-Chan SyncFET PowerTrench

Karta charakterystyki:

FDMS0312S Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi FDMS0312S

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	Power-56-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	30 V
Id – Ciągły prąd drenu:	19 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	3.6 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1.9 V
Qg – ładunek bramki:	33 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	2.5 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	PowerTrench
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	4 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	97 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	5 ns
Seria:	FDMS0312S
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	28 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	12 ns
Jednostka masy:	74 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

FDMS0312S Karta charakterystyki

PCN

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Chiny
Kraj montażu:: Chiny
Kraj wytworzenia:: Tajwan

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

N-Channel PowerTrench® SyncFET™ MOSFETs

onsemi N-Channel PowerTrench^® SyncFET™ MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications and reduce on-state resistance. The N-Channel PowerTrench SyncFET MOSFETs utilize silicon technology to enhance performance and lower overall system costs. With an integrated Schottky diode, these onsemi N-Channel PowerTrench SyncFET MOSFETs offer similar performance (high power and current handling) of a separate MOSFET and Schottky rectifier in one package. This integration reduces space by as much as 50% and provides cost savings and manufacturing throughput (or "time") savings. Applications can include notebooks, servers, telecom, DC-DC buck converters, high-efficiency DC-DC switch-mode power supplies, and synchronous rectifiers for DC-DC converters.

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

ONSEMI

NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET

Features low R_DS(on) and low gate threshold with integrated ESD protection.

Dowiedz się więcej

NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET

Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.

Dowiedz się więcej

NTMFD0D9N02P1E MOSFET

Dual N-channel MOSFET designed with low R_g for fast switching applications.

Dowiedz się więcej

NVMFD5873NL Dual N-Channel Power MOSFETs

Designed for compact and efficient designs, including high thermal performance.

Dowiedz się więcej

NVBYST0D6N08X 80V N-Channel Power MOSFET

This device offers a low Q_RR and soft recovery body diode in a TCPAK1012 (TopCool) package.

Dowiedz się więcej

Na stanie magazynowym: 6 003

Stany magazynowe:: 6 003 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	4,01 zł	4,01 zł
	2,51 zł	25,10 zł
	1,64 zł	164,00 zł
	1,25 zł	625,00 zł
	0,995 zł	995,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,848 zł	2 544,00 zł
	0,84 zł	5 040,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

FDMS0312S

Produc.: onsemi

Opis: MOSFETs 30V N-Chan SyncFET PowerTrench

Specyfikacja

Dokumenty (5)

Karta charakterystyki

PCN

Dokumenty dotyczące środowiska

Zgodność ze standardami produktowymi i przepisami handlu

Więcej informacji

N-Channel PowerTrench® SyncFET™ MOSFETs

Pozostali klienci kupili również

WYRÓŻNIONE PRODUKTY ONSEMI

Na stanie magazynowym: 6 003

Cennik (PLN)

QuickView (Szybki podgląd)

Wystąpił nieoczekiwany błąd.

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs 30V N-Chan SyncFET PowerTrench

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

ONSEMI