Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

FDME1034CZT

Name: onsemi FDME1034CZT
Brand: onsemi
SKU: 512-FDME1034CZT
Price: 3.92 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

512-FDME1034CZT

Nr prod.:

FDME1034CZT

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs 20V Complementary PowerTrench

Karta charakterystyki:

FDME1034CZT Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi FDME1034CZT

Na stanie magazynowym: 2 484

Stany magazynowe:: 2 484

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 5 000

Oczekiwane: 08.01.2027
Średni czas produkcji:: 25

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	3,92 zł	3,92 zł
	2,45 zł	24,50 zł
	1,60 zł	160,00 zł
	1,24 zł	620,00 zł
	1,02 zł	1 020,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)
	0,912 zł	4 560,00 zł
	0,834 zł	8 340,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	UMLP-6
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel, P-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	20 V
Id – Ciągły prąd drenu:	3.4 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	66 mOhms, 142 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 8 V, 8 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	700 mV, 600 mV
Qg – ładunek bramki:	3 nC, 5.5 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	1.3 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	PowerTrench
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Dual
Czas zanikania:	1.7 ns, 16 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	9 S, 7 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	2 ns, 4.8 ns
Seria:	FDME1034CZT
Wielkość opakowania producenta:	5000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	15 ns, 33 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	4.5 ns, 4.7 ns
Jednostka masy:	25,200 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

FDME1034CZT Karta charakterystyki

Models

FDME1034CZT Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8542310399
ECCN:: EAR99

FDME10xx PowerTrench® MOSFETs

onsemi FDME10xx PowerTrench® MOSFETs are designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handsets and other ultra-portable applications. The FDME1023PZT features two independent P-Channel MOSFETs with low on-state resistance for minimum conduction losses. The FDME1024NZT is a dual N-Channel device with low on-state resistance for minimum conduction losses. The FDME1034CZT is a complementary PowerTrench device with an independent N-Channel and P-Channel MOSFET with low on-state resistance. The FDME1034CZT is minimized to allow high frequency switching directly from the controlling device.