Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

FDMC86261P

Name: onsemi FDMC86261P
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMC86261P
Price: 9.5 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

512-FDMC86261P

Nr prod.:

FDMC86261P

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs -150 P-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET

Karta charakterystyki:

FDMC86261P Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi FDMC86261P

Na stanie magazynowym: 10 134

Stany magazynowe:: 10 134 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 32 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	9,50 zł	9,50 zł
	5,81 zł	58,10 zł
	4,11 zł	411,00 zł
	3,47 zł	1 735,00 zł
	3,43 zł	3 430,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	2,95 zł	8 850,00 zł
	2,86 zł	17 160,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	Power-33-8
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	150 V
Id – Ciągły prąd drenu:	2.7 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	269 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 25 V, 25 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	24 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	40 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	PowerTrench
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	20 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	10 ns
Seria:	FDMC86261P
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	33 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	20 ns
Jednostka masy:	165,330 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

FDMC86261P Karta charakterystyki

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel PowerTrench® MOSFETs

onsemi N-Channel PowerTrench MOSFETs are produced using onsemi's advanced PowerTrench process that has been specially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. onsemi N-Channel PowerTrench MOSFETs are available in a variety of Drain to Source Voltage specifications, from 30V to 250V.

Mid-Voltage P-Channel MOSFETs

onsemi Mid-Voltage P-Channel MOSFETs are 100V and 150V P-Channel MOSFETs that offer the best in class R_DS-ON and Q_g in the industry. Each of these devices is produced using PowerTrench® technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and optimized for superior switching performance. onsemi Mid-Voltage P-Channel MOSFETs are ideal for high side switching on motor drives and lighting, active clamp in DC-DC, and load switching.