Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

E4MS025120K

Name: Wolfspeed E4MS025120K
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-E4MS025120K
Price: 47.64 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

941-E4MS025120K

Nr prod.:

E4MS025120K

Produc.:

Wolfspeed

Opis:

SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 25mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

E4MS025120K Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Wolfspeed E4MS025120K

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: Zleć wycenę przesyłki

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	47,64 zł	47,64 zł
	35,56 zł	355,60 zł
	30,79 zł	3 694,80 zł
	29,11 zł	14 846,10 zł
	24,77 zł	25 265,40 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Wolfspeed
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	77 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	33 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V, + 23 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.6 V
Qg – ładunek bramki:	125 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	281 W
Tryb kanału:	Enhancement
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Marka:	Wolfspeed
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	11 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	28 S
Produkt:	SiC MOSFET
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	4 ns
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Rodzaj:	Silicon Carbide Power MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	36 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	12 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

E4MS025120K Karta charakterystyki (PDF)

ECCN:: EAR99

1200V E4MS Discrete SiC MOSFETs

Wolfspeed 1200V E4MS Discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFETs deliver unparalleled performance in onboard automotive applications. The E4MS family utilizes a fast and soft body diode that enables fast switching with minimal overshoot and ringing, expanding the usable design space for engineers to tune and optimize the performance in the application. The E4MS family provides improved E_on, E_RR, and E_off losses compared to the E3M family of devices, while maintaining a low R_DS(on) temperature coefficient. This balanced approach provides maximum performance and efficiency across a wide range of onboard topologies.