Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

DXTN07060BFG-7

Name: Diodes Incorporated DXTN07060BFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DXTN07060BFG-7
Price: 3.07 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

621-DXTN07060BFG-7

Nr prod.:

DXTN07060BFG-7

Produc.:

Diodes Incorporated

Opis:

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

Karta charakterystyki:

DXTN07060BFG-7 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Diodes Incorporated DXTN07060BFG-7

Na stanie magazynowym: 1 351

Stany magazynowe:: 1 351 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 40 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	3,07 zł	3,07 zł
	1,90 zł	19,00 zł
	1,23 zł	123,00 zł
	0,942 zł	471,00 zł
	0,851 zł	851,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2000)
	0,71 zł	1 420,00 zł
	0,654 zł	2 616,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Diodes Incorporated
Kategoria produktów:	Tranzystory bipolarne - BJT
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PowerDI3333-8
Polaryzacja tranzystora:	NPN
Konfiguracja:	Single
Maksymalny prąd DC kolektora:	3 A
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	60 V
Napięcie kolektor-baza VCBO:	80 V
Napięcie emiter–baza VEBO:	7 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	200 mV
Pd – strata mocy:	3.1 W
Wzmacniacze GBP fT:	175 MHz
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Diodes Incorporated
Ciągły prąd kolektora:	3 A
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min.:	100
Wzmocnienie prądu DC hFE max.:	300
Rodzaj produktu:	BJTs - Bipolar Transistors
Wielkość opakowania producenta:	2000
Podkategoria:	Transistors
Jednostka masy:	30 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

DXTN07060BFG-7 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

DXTN07x Bipolar Junction Transistors (BJTs)

Diodes Incorporated DXTN07x Bipolar Junction Transistors (BJTs) are offered in smaller, thermally efficient PowerDI®3333-8 packages. These Diodes Incorporated transistors are in a PowerDI3333 surface mount 3.3mm x 3.3mm x 0.8mm package. The package occupies 70% less printed circuit board (PCB) space than the traditional small-outline transistor (SOT223). PowerDI3333 packages increase PCB throughput with wettable flanks, which help facilitate high-speed, automatic optical inspection (AOI) of solder joints. These NPN and PNP transistors can perform functions such as linear or LDO regulation, gate driving of MOSFETs or insulated-gate bipolar transistors (IGBT), and load switches across industrial and consumer applications.