Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

DXT5551P5-13

Name: Diodes Incorporated DXT5551P5-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 522-DXT5551P5-13
Price: 2.81 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

522-DXT5551P5-13

Nr prod.:

DXT5551P5-13

Produc.:

Diodes Incorporated

Opis:

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 160V, 600mA

Karta charakterystyki:

DXT5551P5-13 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Diodes Incorporated DXT5551P5-13

Na stanie magazynowym: 15 350

Stany magazynowe:: 15 350 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 40 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	2,81 zł	2,81 zł
	1,75 zł	17,50 zł
	1,13 zł	113,00 zł
	0,86 zł	430,00 zł
	0,701 zł	701,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)
	0,533 zł	2 665,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Diodes Incorporated
Kategoria produktów:	Tranzystory bipolarne - BJT
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PowerDI-5
Polaryzacja tranzystora:	NPN
Konfiguracja:	Single
Maksymalny prąd DC kolektora:	600 mA
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	160 V
Napięcie kolektor-baza VCBO:	180 V
Napięcie emiter–baza VEBO:	6 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	200 mV
Pd – strata mocy:	700 mW
Wzmacniacze GBP fT:	130 MHz
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Seria:	DXT5551
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Diodes Incorporated
Ciągły prąd kolektora:	600 mA
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min.:	30 at 50 mA, 5 V
Rodzaj produktu:	BJTs - Bipolar Transistors
Wielkość opakowania producenta:	5000
Podkategoria:	Transistors
Jednostka masy:	96 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

DXT5551P5-13 Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PowerDI 5 Bipolar Transistors

Diodes Incorporated PowerDI^® 5 Bipolar Transistors are the first bipolar transistors in a PowerDI 5 package, which provides a 47% space savings over the SOT223 package. These Diodes Incorporated PowerDI 5 bipolar transistors are also 60% smaller than DPAK (TO252) package devices.