DXT5551-13 Tranzystory bipolarne - BJT

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Konfiguracja Maksymalny prąd DC kolektora Max. napięcie kolektor-emiter VCEO Napięcie kolektor-baza VCBO Napięcie emiter–baza VEBO Napięcie nasycenia kolektor-emiter Pd – strata mocy Wzmacniacze GBP fT Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Seria Opakowanie
Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT 1W 160V 1 116Na stanie magazynowym
2 500Oczekiwane: 15.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT SOT-89-3 NPN Single 600 mA 160 V 180 V 6 V 200 mV 750 mW 300 MHz - 55 C + 150 C DXT5551 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi / Fairchild DXT5551-13
onsemi / Fairchild Tranzystory bipolarne - BJT N/A
Si NPN Single 600 mA 160 V 180 V 6 V 1 W 300 MHz - 55 C + 150 C