DMT10H072LFDFQ-7

Diodes Incorporated
621-DMT10H072LFDFQ-7
DMT10H072LFDFQ-7

Produc.:

Opis:
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:
0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Dostępna ilość z otwartych zamówień:
7 895
Oczekiwane: 16.03.2026
6 000
Oczekiwane: 17.04.2026
Średni czas produkcji:
24
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
3,03 zł 3,03 zł
1,90 zł 19,00 zł
1,23 zł 123,00 zł
0,942 zł 471,00 zł
0,851 zł 851,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
0,697 zł 2 091,00 zł
0,649 zł 3 894,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Diodes Incorporated
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
U-DFN2020-6
N-Channel
1 Channel
100 V
4 A
62 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
2.5 nC
- 55 C
+ 150 C
1.8 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Diodes Incorporated
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 4.3 ns
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 3.1 ns
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 12.3 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 3 ns
Jednostka masy: 65 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Automotive MOSFETs

Diodes Incorporated Automotive MOSFETs meet the stringent requirements of the AEC-Q101 reliability standard of the Automotive Electronics Council. Products with a 'Q' suffix indicate the product is Automotive grade. This means the Diodes Incorporated device has passed the rigorous AEC-Q101 standard and is fully supported for Automotive applications. The MOSFETs support customers with the Production Part Approval Process (PPAP) and TS16949-approved manufacturing sites.