DMN53D0LW-13

Diodes Incorporated
621-DMN53D0LW-13
DMN53D0LW-13

Produc.:

Opis:
MOSFETs FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Diodes Incorporated DMN53D0LW-13

Na stanie magazynowym: 9 884

Stany magazynowe:
9 884 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
24 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 10000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
1,04 zł 1,04 zł
0,705 zł 7,05 zł
0,447 zł 44,70 zł
0,28 zł 140,00 zł
0,219 zł 219,00 zł
0,194 zł 485,00 zł
0,168 zł 840,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 10000)
0,125 zł 1 250,00 zł
0,12 zł 2 400,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Diodes Incorporated
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-323-3
N-Channel
1 Channel
50 V
360 mA
2 Ohms
- 20 V, 20 V
800 mV
1.2 nC
- 55 C
+ 150 C
420 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Diodes Incorporated
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 11 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 80 mS
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 2.5 ns
Seria: DMN53
Wielkość opakowania producenta: 10000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 18.9 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 2.7 ns
Jednostka masy: 6 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

TARIC:
8542399000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854239099
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed to minimize the on-state resistance RDS(ON) while maintaining superior switching performance. ESD protected to 2KV, these new generation MOSFETs feature low on-resistance, very low gate threshold voltage, low input capacitance, fast switching speeds, and low input/output leakage. Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability, DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

DMNxx MOSFETs

Diodes Inc. DMNxx MOSFETs are N-channel devices ideally suited for meeting the requirements of a variety of power management applications. DMNxx MOSFETs offer a variety of package options and a wide range of drain-source voltage values.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.