DMN53D0LDW-7

Diodes Incorporated
621-DMN53D0LDW-7
DMN53D0LDW-7

Produc.:

Opis:
MOSFETs N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Diodes Incorporated DMN53D0LDW-7

Na stanie magazynowym: 3 664

Stany magazynowe:
3 664
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
51 000
Oczekiwane: 17.04.2026
27 000
Oczekiwane: 15.06.2026
Średni czas produkcji:
24
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
1,07 zł 1,07 zł
0,649 zł 6,49 zł
0,409 zł 40,90 zł
0,301 zł 150,50 zł
0,249 zł 249,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
0,211 zł 633,00 zł
0,181 zł 1 086,00 zł
0,159 zł 1 431,00 zł
0,146 zł 3 504,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:
DMN53D0LDW-13
Opakowanie:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Dostępność:
Na stanie magazynowym
Cena:
1,11 zł
Min.:
1

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Diodes Incorporated
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
2 Channel
50 V
360 mA
1.6 Ohms
- 20 V, 20 V
800 mV
600 pC
- 55 C
+ 150 C
310 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Diodes Incorporated
Konfiguracja: Dual
Czas zanikania: 11 ns, 11 ns
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 2.5 ns, 2.5 ns
Seria: DMN53
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 2 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 19 ns, 19 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 2.7 ns, 2.7 ns
Jednostka masy: 7,500 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

DMNxx MOSFETs

Diodes Inc. DMNxx MOSFETs are N-channel devices ideally suited for meeting the requirements of a variety of power management applications. DMNxx MOSFETs offer a variety of package options and a wide range of drain-source voltage values.

DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed to minimize the on-state resistance RDS(ON) while maintaining superior switching performance. ESD protected to 2KV, these new generation MOSFETs feature low on-resistance, very low gate threshold voltage, low input capacitance, fast switching speeds, and low input/output leakage. Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability, DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.