Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

DMN2990UFZ-7B

Name: Diodes Incorporated DMN2990UFZ-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN2990UFZ-7B
Price: 1.78 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

621-DMN2990UFZ-7B

Nr prod.:

DMN2990UFZ-7B

Produc.:

Diodes Incorporated

Opis:

MOSFETs 20V N-Ch Enh FET Dual .25A .32W 389pF

Karta charakterystyki:

DMN2990UFZ-7B Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Diodes Incorporated DMN2990UFZ-7B

Na stanie magazynowym: 12 417

Stany magazynowe:: 12 417 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 10000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	1,78 zł	1,78 zł
	1,08 zł	10,80 zł
	0,688 zł	68,80 zł
	0,516 zł	258,00 zł
	0,413 zł	413,00 zł
	0,361 zł	1 805,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 10000)
	0,34 zł	3 400,00 zł
	0,314 zł	6 280,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Diodes Incorporated
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	X2-DFN0606-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	20 V
Id – Ciągły prąd drenu:	250 mA
Rds On – rezystancja dren–źródło:	990 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 8 V, 8 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1 V
Qg – ładunek bramki:	1 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	320 mW
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Diodes Incorporated
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	7.7 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	180 mS
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	2.1 ns
Seria:	DMN2990
Wielkość opakowania producenta:	10000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	2 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	22 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	3.5 ns
Jednostka masy:	1 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

DMN2990UFZ-7B Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMxx Miniature Enhancement Mode MOSFETs

Diode Inc. DMxx Miniature Enhancement Mode MOSFETs are designed to minimize on-state resistance (R_DS(ON)). They maintain superior switching performance, making them ideal for high-efficiency power management applications. The DMN31D5UFZ and DMN2990UFZ are N-Channel enhancement mode MOSFETs and the DMP32D9UFZ is a P-Channel Enhancement Mode MOSFET.