Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

DMG4800LFG-7

Name: Diodes Incorporated DMG4800LFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMG4800LFG-7
Price: 2.81 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

621-DMG4800LFG-7

Nr prod.:

DMG4800LFG-7

Produc.:

Diodes Incorporated

Opis:

MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 30V/4.82 - 7.44A

Karta charakterystyki:

DMG4800LFG-7 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Diodes Incorporated DMG4800LFG-7

Na stanie magazynowym: 61

Stany magazynowe:: 61

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 57 000

Oczekiwane: 18.05.2026
Średni czas produkcji:: 12

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	2,81 zł	2,81 zł
	1,73 zł	17,30 zł
	1,09 zł	109,00 zł
	0,834 zł	417,00 zł
	0,74 zł	740,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,619 zł	1 857,00 zł
	0,568 zł	3 408,00 zł
	0,555 zł	4 995,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Diodes Incorporated
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DFN-3030-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	30 V
Id – Ciągły prąd drenu:	7.44 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	11 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 25 V, 25 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	800 mV
Qg – ładunek bramki:	9.47 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	940 mW
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Diodes Incorporated
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	8.55 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	4.5 ns
Seria:	DMG4800
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	26.33 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	5.03 ns
Jednostka masy:	13 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

DMG4800LFG-7 Karta charakterystyki (PDF)

PCN

PRODUCT CHANGE NOTICE (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMG44x & DMG48x Enhancement Mode MOSFETs

The Diodes Inc. DMG44x and DMG48x Enhancement Mode MOSFETs are high-reliability N-channel enhancement mode MOSFETs. These DMG44x and DMG48x enhancement mode MOSFETs feature low on-resistance, low input capacitance, fast switching speed, and low input/output leakage.