Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

DMG4468LFG-7

Name: Diodes Incorporated DMG4468LFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMG4468LFG-7
Price: 1.27 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

621-DMG4468LFG-7

Nr prod.:

DMG4468LFG-7

Produc.:

Diodes Incorporated

Opis:

MOSFETs N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD

Karta charakterystyki:

DMG4468LFG-7 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 24 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 3000 Wielokrotności: 3000

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	1,27 zł	3 810,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Diodes Incorporated
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DFN-3030-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	30 V
Id – Ciągły prąd drenu:	7.62 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	10 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1 V
Qg – ładunek bramki:	18.85 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	990 mW
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Marka:	Diodes Incorporated
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	6.01 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	14.53 ns
Seria:	DMG4468
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	18.84 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	5.46 ns
Jednostka masy:	13 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

DMG4468LFG-7 Karta charakterystyki (PDF)

PCN

PRODUCT CHANGE NOTICE (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

DMG44x & DMG48x Enhancement Mode MOSFETs

The Diodes Inc. DMG44x and DMG48x Enhancement Mode MOSFETs are high-reliability N-channel enhancement mode MOSFETs. These DMG44x and DMG48x enhancement mode MOSFETs feature low on-resistance, low input capacitance, fast switching speed, and low input/output leakage.