Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

DIF120SIC022

Name: Diotec Semiconductor DIF120SIC022
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DIF120SIC022
Price: 294.16 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

637-DIF120SIC022

Nr prod.:

DIF120SIC022

Produc.:

Diotec Semiconductor

Opis:

SiC MOSFETs 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175°C

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

DIF120SIC022 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Diotec Semiconductor DIF120SIC022

Na stanie magazynowym: 438

Stany magazynowe:: 438 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	294,16 zł	294,16 zł
	229,96 zł	2 299,60 zł
	137,94 zł	16 552,80 zł
510	Oferta

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Diotec Semiconductor
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	120 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	22.3 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 4 V, + 18 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	269 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	340 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	DIF120SIC022
Marka:	Diotec Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	35 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	41.5 S
Produkt:	MOSFETs
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	38 ns
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	108 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	150 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

DIF120SIC022 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are ideally suited for high voltage and high frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies. These MOSFETs feature a high 1200V and 650V reverse voltage, extremely low on-resistance, total Gate charge, low switching time, and low total switching energy. Advanced planar technology and the Silicon Carbide wafer material enable higher on-resistances at higher switching frequencies. These MOSFETs are used in DC-DC converters, DC drives, inverters, charging stations, Power Factor Correction (PFC), solar inverters, and power supplies.