DF2B6M4ASL,L3F

Toshiba
757-DF2B6M4ASLL3F
DF2B6M4ASL,L3F

Produc.:

Opis:
ESD Protection Diodes / TVS Diodes Bi-Dir ESD 2A; 5.5V SOD-962 (SL2)

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 9 734

Stany magazynowe:
9 734 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
14 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 10000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
0,813 zł 0,81 zł
0,55 zł 5,50 zł
0,211 zł 21,10 zł
0,206 zł 206,00 zł
0,202 zł 1 010,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 10000)
0,181 zł 1 810,00 zł
0,155 zł 3 100,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Toshiba
Kategoria produktów: Diody ochronne ESD / diody TVS
RoHS:  
Bidirectional
1 Channel
5.5 V
SMD/SMT
20 V
6.2 V
SOD-962-2
2 A
30 W
0.15 pF
15 kV
15 kV
- 55 C
+ 150 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Toshiba
Napięcie robocze zasilania: 5.5 V
Produkt: ESD Suppressors
Wielkość opakowania producenta: 10000
Podkategoria: ESD Protection Diodes / TVS Diodes
Jednostka masy: 0,200 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541590000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
MXHTS:
8541100199
BRHTS:
85411029
ECCN:
EAR99

DF2Bx ESD Protection Diodes

Toshiba DF2Bx ESD Protection Diodes are designed to protect semiconductor devices used in mobile device interfaces and other applications against static electricity and noise. These diodes utilize snapback characteristics to provide low dynamic resistance and superior protective performance. The DF2Bx ESD protection diodes are suitable for use with a 3.3V/5V signal line. These didoes come in a compact package that is suitable for use in high-density board layouts such as on mobile devices. Typical applications include smartphones, tablets, notebook PCs, and desktop PCs.

DF2BxM4ASL ESD Protection Diodes

Toshiba DF2BxM4ASL ESD Protection Diodes protect semiconductor devices like mobile device interfaces and other applications against static electricity and noise. These ESD protection diodes utilize snapback characteristics, providing low dynamic resistance and superior protective performance. The DF2BxM4ASL diodes optimum the high-speed signal application for low capacitance performance. These ESD protection diodes are stored at -55°C to 150°C. The Toshiba DF2BxM4ASL diodes function at 150°C junction temperature, 30W peak pulse power,  and 2A peak pulse current. Typical applications include smartphones, tablets, notebook PCs, and desktop PCs.

Next-Generation ESD Protection Diodes

Toshiba Next-Generation ESD Protection Diodes are used for power supply circuits in mobile devices such as smartphones and wearable devices. A choice of operating voltages (3.6V, 5.5V, 12.6V) and packages (SOD962, SL2, SOD963, CST2C, SOT553, USC, and DFN10) provides flexible options for realizing ESD protection against static electricity and noise in various designs.