C3M0075120K1

Wolfspeed
941-C3M0075120K1
C3M0075120K1

Produc.:

Opis:
SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.
Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Wolfspeed C3M0075120K1

Na stanie magazynowym: 254

Stany magazynowe:
254 Wysylamy natychmiast
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
32,85 zł 32,85 zł
19,26 zł 192,60 zł
16,25 zł 1 950,00 zł
15,14 zł 7 721,40 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Wolfspeed
Kategoria produktów: Moduły MOSFET SIC
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
32 A
135 mOhms
- 8 V, + 19 V
3.8 V
53 nC
- 55 C
+ 150 C
145 W
Enhancement
Marka: Wolfspeed
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 11 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 10.5 S
Produkt: MOSFETs
Rodzaj produktu: SiC MOSFETS
Czas narastania: 22 ns
Wielkość opakowania producenta: 30
Podkategoria: Transistors
Technologia: SiC
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Rodzaj: Silicon Carbide Power MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 29 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 8 ns
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Niskoprofilowe tranzystory mocy MOSFET TO-247-4 1200 V SiC

Niskoprofilowe tranzystory mocy MOSFET TO-247-4 1200 V na bazie węglika krzemu (SiC) firmy Wolfspeed charakteryzują się szybkim przełączaniem, niską pojemnością i wysokim napięciem blokowania oraz niską rezystancją włączenia. Ograniczają straty przełączania i zapotrzebowanie na chłodzenie oraz minimalizują dzwonienie bramki. Tranzystory mocy MOSFET 1200 V SiC są wyposażone w szybką, wewnętrzną diodę z niskim ładunkiem wstecznym (Qrr). Tranzystory te zwiększają gęstość mocy i częstotliwość przełączania systemu. Tranzystory mocy MOSFET SiC 1200 V są dostępne w zoptymalizowanych obudowach z oddzielnymi stykami źródła sterownika i w obudowie o niższym profilu TO-247-4. Tranzystory te nie zawierają halogenu i są zgodne z dyrektywą RoHS. Typowe zastosowania obejmują sterowanie silnikami, ładowarki EV, wysokonapięciowe przetwornice DC/DC, systemy solarne/ESS, zasilacze UPS oraz zasilacze korporacyjne.

Tranzystory mocy MOSFET 1200 V na bazie węglika krzemu

Tranzystory mocy MOSFET 1200 V na bazie węglika krzemu firmy Wolfspeed ustanawiają nowy standard wydajności, wytrzymałości i łatwości projektowania.  Tranzystory MOSFET firmy Wolfspeed charakteryzują się szybkim przełączaniem i niskimi stratami przełączania, co zapewnia znaczną poprawę wydajności systemu, gęstości mocy i ogólnego kosztu w porównaniu do dotychczas stosowanych rozwiązań w zakresie krzemowych tranzystorów MOSFET i IGBT.

Silicon Carbide 1200V MOSFETs & Diodes

Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) 1200V MOSFETs and Diodes create a powerful combination of higher efficiency in demanding applications. These MOSFETs and Schottky diodes are designed for high-power applications. The 1200V SiC MOSFETs feature stable Rds(on) over-temperature and avalanche ruggedness. These MOSFETs are rugged body diodes that do not require external diodes and are easier to drive as these offer a 15V gate drive. The 1200V SiC MOSFETs improve system-level efficiency, lower switching and conduction losses, and improve system-level power density.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.