Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

C3M0060065K

Name: Wolfspeed C3M0060065K
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0060065K
Price: 34.01 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

941-C3M0060065K

Nr prod.:

C3M0060065K

Produc.:

Wolfspeed

Opis:

SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60 mohm, 650V, TO-247-4, Industrial

Karta charakterystyki:

C3M0060065K Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Wolfspeed C3M0060065K

Na stanie magazynowym: 409

Stany magazynowe:: 409 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 11 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	34,01 zł	34,01 zł
	23,48 zł	234,80 zł
	20,38 zł	2 445,60 zł
	15,44 zł	7 874,40 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Wolfspeed
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
REACH - SVHC:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	37 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	60 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 4 V, + 15 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3.6 V
Qg – ładunek bramki:	46 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	150 W
Tryb kanału:	Enhancement
Marka:	Wolfspeed
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	5 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	10 S
Opakowanie:	Tube
Produkt:	MOSFETs
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	11 ns
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	17 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	8 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

C3M0060065K Karta charakterystyki

PCN

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiC C3M MOSFETs

Wolfspeed SiC C3M MOSFETs enable higher switching frequencies and reduce inductor, capacitor, filter, and transformer component sizes. The Wolfspeed SiC C3M MOSFETs have higher system efficiency and reduced cooling requirements. The MOSFETs also increase power density and system switching frequency.

Tranzystory MOSFET na bazie węglika krzemu 650 V

Tranzystory mocy MOSFET 650 V firmy Wolfspeed na bazie węglika krzemu oferują niską rezystancję w stanie włączenia układu i niskie straty przy przełączaniu, zapewniając maksymalną wydajność i gęstość mocy. Tranzystory mocy MOSFET 650 V zoptymalizowano pod kątem zastosowania w wysoce wydajnej energoelektronice, na przykład w zasilaczach serwerów, układach ładowania pojazdów elektrycznych, układach magazynowania energii, falownikach fotowoltaicznych, zasilaczach awaryjnych UPS i systemach zarządzania akumulatorami. W porównaniu z krzemem tranzystory MOSFET na bazie węglika krzemu Wolfspeed 650V umożliwiają zmniejszenie strat przełączania o 75 %, zmniejszenie strat przewodzenia o ½ i trzykrotnie większą gęstość mocy.