C3M0021120D

Wolfspeed
941-C3M0021120D
C3M0021120D

Produc.:

Opis:
SiC MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Wolfspeed C3M0021120D

Na stanie magazynowym: 1 613

Stany magazynowe:
1 613 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
13 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
66,52 zł 66,52 zł
57,49 zł 574,90 zł
2 520 Oferta

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Wolfspeed
Kategoria produktów: Moduły MOSFET SIC
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
100 A
28.8 mOhms
- 4 V, + 15 V
1.8 V
160 nC
- 40 C
+ 175 C
469 W
Enhancement
Marka: Wolfspeed
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 25 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 35 S
Opakowanie: Tube
Rodzaj produktu: SiC MOSFETS
Czas narastania: 27 ns
Wielkość opakowania producenta: 30
Podkategoria: Transistors
Technologia: SiC
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 72 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 142 ns
Jednostka masy: 6 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Tranzystory mocy MOSFET 1200 V na bazie węglika krzemu

Tranzystory mocy MOSFET 1200 V na bazie węglika krzemu firmy Wolfspeed ustanawiają nowy standard wydajności, wytrzymałości i łatwości projektowania.  Tranzystory MOSFET firmy Wolfspeed charakteryzują się szybkim przełączaniem i niskimi stratami przełączania, co zapewnia znaczną poprawę wydajności systemu, gęstości mocy i ogólnego kosztu w porównaniu do dotychczas stosowanych rozwiązań w zakresie krzemowych tranzystorów MOSFET i IGBT.

Silicon Carbide 1200V MOSFETs & Diodes

Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) 1200V MOSFETs and Diodes create a powerful combination of higher efficiency in demanding applications. These MOSFETs and Schottky diodes are designed for high-power applications. The 1200V SiC MOSFETs feature stable Rds(on) over-temperature and avalanche ruggedness. These MOSFETs are rugged body diodes that do not require external diodes and are easier to drive as these offer a 15V gate drive. The 1200V SiC MOSFETs improve system-level efficiency, lower switching and conduction losses, and improve system-level power density.

SiC C3M MOSFETs

Wolfspeed SiC C3M MOSFETs enable higher switching frequencies and reduce inductor, capacitor, filter, and transformer component sizes. The Wolfspeed SiC C3M MOSFETs have higher system efficiency and reduced cooling requirements. The MOSFETs also increase power density and system switching frequency.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.