BYC8D-600,127

WeEn Semiconductors
771-BYC8D600127
BYC8D-600,127

Produc.:

Opis:
Rectifiers PWR 600 V 8 A

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 3 161

Stany magazynowe:
3 161 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Ilości większe niż 3161 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
2,40 zł 2,40 zł
1,70 zł 17,00 zł
1,47 zł 1 470,00 zł
1,34 zł 2 680,00 zł
1,23 zł 6 150,00 zł
1,18 zł 29 500,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
WeEn Semiconductors
Kategoria produktów: Prostowniki
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-220AC-2
600 V
8 A
Fast Recovery Rectifiers
Single
2 V
60 A
9 uA
20 ns
+ 150 C
Marka: WeEn Semiconductors
Produkt: Rectifiers
Rodzaj produktu: Rectifiers
Wielkość opakowania producenta: 1000
Podkategoria: Diodes & Rectifiers
Nazwa handlowa: SABER
Nazwy umowne nr części: 934065035127
Jednostka masy: 2,300 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
MXHTS:
8541100199
BRHTS:
85411099
ECCN:
EAR99

Hyperfast Recovery Power Diodes

WeEn Semiconductor hyperfast power diodes are designed to have a trade-off between the forward voltage (VF) and reverse recovery time (trr) to minimize power losses in both diode and associated MOSFET and hence maximize overall system power efficiency in switched-mode power supply (SMPS) applications. The WeEn Semiconductor hyperfast power diodes represent a cost-efficient solution compared to the use of Schottky technology.