BUK9K52-60RAX

Nexperia
771-BUK9K52-60RAX
BUK9K52-60RAX

Produc.:

Opis:
MOSFETs SOT1205 2NCH 60V 16A

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Nexperia BUK9K52-60RAX

Na stanie magazynowym: 436

Stany magazynowe:
436
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
1 500
Oczekiwane: 22.02.2027
Średni czas produkcji:
26
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
5,07 zł 5,07 zł
3,15 zł 31,50 zł
2,69 zł 269,00 zł
2,08 zł 1 040,00 zł
1,26 zł 1 260,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
1,07 zł 1 605,00 zł
1,04 zł 3 120,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Nexperia
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
LFPAK-56D-8
N-Channel
2 Channel
60 V
16 A
55 mOhms
- 10 V, 10 V
2.1 V
5.6 nC
- 55 C
+ 175 C
32 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Nexperia
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: PH
Czas zanikania: 9 ns
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 10.1 ns
Wielkość opakowania producenta: 1500
Podkategoria: Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 10.7 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 6.2 ns
Nazwy umowne nr części: 934662538115
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

Application Notes

PCN

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Tranzystory ASFET do topologii z powielaniem lawinowym

Tranzystory ASFET firmy Nexperia do topologii z powielaniem lawinowym oferują maksymalne napięcie dren-źródło od 40 VDS do 60 VDS, prąd drenu ID od 16 A do 40 A oraz ładunek bramka-dren QGD od 7,9 V. Tranzystory ASFET mają przyznany certyfikat AEC-Q101 umożliwiający ich pełne stosowanie w branży motoryzacyjnej oraz oferują wysoką wytrzymałość, niezawodność i technologię zacisków miedzianych LFPAK. Tranzystory ASFET firmy Nexperia do topologii z powielaniem lawinowym nadają się idealnie do stosowania w samochodowych układach o napięciu 12 V, 24 V i 48 V, do topologii z powielaniem lawinowym oraz do sterowania silnikami.

Automotive ASFETs

Nexperia Automotive ASFETs are Application-Specific MOSFETs optimized for specific use cases. As designers push the boundaries of application performance, it is increasingly crucial to understand how the MOSFET will be used in the application. In the past, a standard power switch with a given Figure of Merit (RDS(on) x Qg) would essentially work in any application. However, to address specific application requirements or functionality, optimizing a set of MOSFET parameters is increasingly necessary to match those requirements. For example, applications may require enhanced linear mode performance or repetitive avalanche functionality. Nexperia combines proven MOSFET expertise with broad application understanding to create an expanding range of Application-Specific MOSFETs.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.