Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

BUK7M6R0-40HX

Name: Nexperia BUK7M6R0-40HX
Brand: Nexperia
SKU: 771-BUK7M6R0-40HX
Price: 1.09 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

771-BUK7M6R0-40HX

Nr prod.:

BUK7M6R0-40HX

Produc.:

Nexperia

Opis:

MOSFETs SOT1210 N-CH 40V 50A

Karta charakterystyki:

BUK7M6R0-40HX Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Nexperia BUK7M6R0-40HX

Na stanie magazynowym: 1 500

Stany magazynowe:: 1 500 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1500 Wielokrotności: 1500

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
	1,09 zł	1 635,00 zł
	0,946 zł	2 838,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Nexperia
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	LFPAK-33-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V
Id – Ciągły prąd drenu:	50 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	6 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.4 V
Qg – ładunek bramki:	28 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	70 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Marka:	Nexperia
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	PH
Czas zanikania:	6.6 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	6.4 ns
Wielkość opakowania producenta:	1500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	14 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	7.7 ns
Nazwy umowne nr części:	934660784115
Jednostka masy:	100,200 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

LFPAK33 Trench 9 Automotive MOSFETs

Nexperia LFPAK33 Trench 9 Automotive MOSFETs are a portfolio of low R_DS(on) 40V AEC-Q101 MOSFETs for modules in demanding powertrain applications. The devices are housed in the miniature LFPAK33 package with a footprint of only 10.9mm². The LFPAK33 MOSFETs use Nexperia's Trench 9 technology. This results in a 48% reduction in R_DS(on) compared to previous devices. These devices cover a range of applications from 30W up to 300W. BUK7M3R3-40H and BUK9M3R3-40H (Standard Level and Logic Level) devices feature a 3.3mΩ R_DS(on).