Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

BSM600D12P4G103

Name: ROHM Semiconductor BSM600D12P4G103
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM600D12P4G103
Price: 4347.13 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-BSM600D12P4G103

Nr prod.:

BSM600D12P4G103

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

MOSFET Modules 1200V, 567A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET

Karta charakterystyki:

BSM600D12P4G103 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 4

Stany magazynowe:: 4 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 27 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	4 347,13 zł	4 347,13 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
RoHS:
Technologia:	SiC
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	Module
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	567 A
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 4 V, + 21 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.8 V
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	1.78 kW
Opakowanie:	Bulk
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	Dual
Czas zanikania:	90 ns
Długość:	152 mm
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Czas narastania:	110 ns
Wielkość opakowania producenta:	4
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Rodzaj:	SiC Power Module
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	435 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	135 ns
Vr – napięcie wsteczne:	1.2 kV
Szerokość:	62 mm

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

BSM600D12P4G103 Karta charakterystyki (PDF)

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.