Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

BSM250D17P2E004

Name: ROHM Semiconductor BSM250D17P2E004
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM250D17P2E004
Price: 3784.39 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-BSM250D17P2E004

Nr prod.:

BSM250D17P2E004

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

MOSFET Modules 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module

Karta charakterystyki:

BSM250D17P2E004 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor BSM250D17P2E004

Na stanie magazynowym: 48

Stany magazynowe:: 48 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 27 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	3 784,39 zł	3 784,39 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 4)
	3 784,39 zł	15 137,56 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
RoHS:
Technologia:	SiC
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	Module
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.7 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	250 A
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 6 V, + 22 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	1.8 kW
Seria:	BSMx
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	Dual
Czas zanikania:	70 ns
Wysokość:	15.4 mm
Długość:	152 mm
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Czas narastania:	55 ns
Wielkość opakowania producenta:	4
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Rodzaj:	SiC Power Module
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	195 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	55 ns
Vr – napięcie wsteczne:	1.2 kV
Szerokość:	62 mm
Jednostka masy:	431 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

BSM250D17P2E004 Karta charakterystyki (PDF)

Other

Specification Sheets

Test/Quality Data

Export Regulation (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541590000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541590000
USHTS:: 8541590080
JPHTS:: 854159000
MXHTS:: 8541500100
ECCN:: EAR99

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.