Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

BSM180D12P3C007

Name: ROHM Semiconductor BSM180D12P3C007
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM180D12P3C007
Price: 2166.3 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-BSM180D12P3C007

Nr prod.:

BSM180D12P3C007

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

MOSFET Modules Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD

Karta charakterystyki:

BSM180D12P3C007 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor BSM180D12P3C007

Na stanie magazynowym: 12

Stany magazynowe:: 12 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 27 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Ilości większe niż 12 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	2 166,30 zł	2 166,30 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
RoHS:
Technologia:	SiC
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	Module
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	180 A
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 4 V, + 22 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.7 V
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	880 W
Seria:	BSMx
Opakowanie:	Tray
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	Dual
Czas zanikania:	50 ns
Wysokość:	21.1 mm
Długość:	122 mm
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Czas narastania:	70 ns
Wielkość opakowania producenta:	12
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Rodzaj:	SiC Power Module
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	165 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	50 ns
Vr – napięcie wsteczne:	1.2 kV
Szerokość:	45.6 mm
Jednostka masy:	302,171 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

BSM180D12P3C007 Karta charakterystyki (PDF)

Models

ThermalLink

Other

Specification Sheets

SPICE Models

Technical Resources

Test/Quality Data

Constitution Material (PDF)

TARIC:: 8541500000
CNHTS:: 8504901900
USHTS:: 8541590080
MXHTS:: 85415001
BRHTS:: 85415020
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.